Los recubrimientos antirreflectantes infrarrojos se utilizan ampliamente en bandas de infrarrojo cercano e infrarrojo medio. Por un lado, el aumento de la espectroscopia de infrarrojo cercano y sus ventajas en las pruebas in vivo no destructivas han atraído una atención significativa a las aplicaciones de infrarrojo cercano. Por otro lado, la investigación en infrarrojo medio tiene gran importancia con el desarrollo de imágenes infrarrojas, detección infrarroja, teledetección infrarroja y aplicaciones aeroespaciales.
La tecnología infrarroja se aplicó inicialmente en campos militares, y luego se expandió a aplicaciones de detección atmosférica, aeroespacial y civil. En los sistemas ópticos infrarrojos, La transmitancia determina el rendimiento. Reducir la reflexión de la superficie para mejorar la transmitancia de la banda de trabajo es crucial para aplicaciones prácticas. El depósito de recubrimientos antirreflectantes en componentes ópticos infrarrojos se ha convertido en un enfoque de investigación clave para minimizar la pérdida de reflexión y mejorar las capacidades del sistema. Con el avance de la óptica, la creciente demanda de dispositivos de banda infrarroja impulsa el desarrollo de recubrimientos antirreflectantes infrarrojos de alto rendimiento como un área de investigación vital.
| Categoría | Hallazgos clave de la investigación | Materiales utilizados | Métricas de rendimiento | Aplicaciones |
| Recubrimientos AR NIR (0,78-2.5μm) | Tavg >91% (400-1000nm) usando ZnS/YbF₃ en el sustrato ZnS | ZnS (sustrato), ZnS/YbF₃ | 91% AVG. Transmitancia (400-1000nm) | Análisis espectral |
| Tavg>97% (620-1550nm) usando TiOde/M1/SiOde | TiOι/ M1(Pr:Al₂O₃)/SiOι | 97% AVG. Transmitancia (620-1550nm) | Óptica de banda ancha | |
| Tavg>97.04% (550-780nm y 1,0-1,3 μm) en vidrio K9 | TiOι/ SiOιen vidrio K9 | 97.04% AVG. Transmitancia | Sistemas de doble banda | |
| Tavg>99.42% (0,9-1.7μm) en CaFse | TiOι/ SiOιen CaFse | 99.42% AVG., 99.98% sistemas NIR de alto rendimiento | ||
| Recubrimientos IR (2,5-25 μm) AR | BaFse/ZnSe bicapa en Ge para 14-16 μm | Ge sustrato, BaFse/ZnSe | AR efectivo en 14-16 μm | Sensores de horizonte de satélite IR |
| Estudios comparativos de monocapas de ZnS/CdTe/ZnSe sobre Ge (10,4-12,5 μm) | Ge sustrato, ZnS/CdTe/ZnSe | Varios rendimientos | Aplicaciones de ventana IR | |
| Banda ancha IR AR | Banda ancha AR de 8 a 14 μm y 2 a 14 μm | Varios sustratos | Cobertura de banda ancha | Aplicaciones de banda ancha tempranas |
| Deposición asistida por iones sobre molibdato de plomo | Cristal de molibdato de plomo | Rendimiento mejorado | Comunicaciones de fibra óptica | |
| ZnSe/BaFde en Ge (8-12 μm, 97% AVG.) | Ge sustrato, ZnSe/BaFde | 97% avgmitancia | Aplicaciones Mid-IR | |
| Ampliado a ancho de banda de 6,4-15 μm | Varios materiales | Cobertura de banda ancha | Teledetección aeroespacial | |
| Ge/ZnS/Yb₃ Fen Ge (7,5-11,5 μm, 98% AVG., Pico 99.2%) | Ge sustrato, Ge/ZnS/YbF₃ | 98% AVG., Pico 99.2% | IR de alto rendimiento | |
| Sustrato de ZnSe con ZnSeS/YbF₃ (7-14 μm, 97% AVG.) | Sustrato de ZnSe, ZnSe/ZnS/YbF₃ | 97% AVG. Transmitancia | Banda ancha IR | |
| ZnSe/YF₃ en ZnSe (2-16 μm, 93% AVG.) | Sustrato de ZnSe, ZnSe/YF₃ | 93% AVG. Transmitancia | Ultra-Banda ancha IR | |
| IR AR de doble banda | Sustrato de Ge para 3-5 μm y 8-12 μm (94% AVG.) | Ge sustrato | 94% AVG. Transmitancia | Sistemas IR de doble banda |
| Revestimiento de radomo ZnS (>90% AVG. En superficies curvas) | ZnS radomo | > 90% AVG. Transmitancia | Aplicaciones aeroespaciales | |
| Revestimientos frontales de fibra IR | Fibra óptica | Reflexión reducida | Protección de la fibra óptica | |
| Ventana ZnS para 0,8-1,7 μm y 3,7-4,8 μm | Ventana ZnS | Rendimiento de doble banda | Aviones de alta velocidad | |
| Investigación extendida | Rejilla conductora + revestimiento AR para atenuación antiniebla/EM | Materiales compuestos | Multifuncional | Sistemas de imágenes IR |
| Índice de clasificación AR en ZnSe (3-12 μm, 95% AVG.) | Sustrato de ZnSe | 95% AVG. Transmitancia | Óptica de gradiente | |
| AR insensible al ángulo en Al₂O₃ (3-5μm, 0 °-60 °) | Sustrato Al₂O₃ | Rendimiento de gran angular | Sistemas sensibles a la polarización | |
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